Also, um Mal zusammen zu fassen, wenn ich die Fachleute hier richtig verstehe:
Wir haben es mit zwei verschiedenen Effekten zu tun, die beim Vollladen wie Selbstentladung aussehen.
Einmal die richtige Selbstentladung, die zellspezifisch pro Zeiteinheit eine immer gleiche Menge an Kapazität kostet bzw vernichtet bzw. Entlädt.
Und einmal den memoryeffekt, der die Spannung der Zelle nach Ladeende fallen lässt, aber nicht durch Entladung, sondern durch Einfinden auf der richtigen Spannung, die dem SOC entspricht, den sie hat. Die Zelle war garnicht voll, obwohl die Spannung so aussah.
Soweit richtig?